| 번호 | 제목 |
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Deposition of SiO2 Layer in a 300mm Rapid Thermal Process Equipment using Remote Oxygen Plasma 이혜원, 주상래, 서승택, 이광순 한국화학공학회 2006년 봄 학술대회 |
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GaN-based 발광소자에서 식각 속도에 기인한 PECVD 산화막 증착 조건에 관한 연구|Effect of Deposition Condition of PECVD SiO2 on Etch Rate for GaN-based LED 최창선,김태희,홍주형,박형조,한윤봉|C. S. Choi,T. H. Kim,J. H. Hong,H. J. Park,Y. B. Hahn 한국화학공학회 2001년 가을 학술대회 |
