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The Chracteristics of SiO2 Thin Film Deposited by Remote Plasma Atomic Layer Deposition using BTBAS precursor
Hyeongtag Jeon, Honggi Kim
한국재료학회 2015년 가을 학술대회 |
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Effect of Strain and Band Offset on Memory Margin of Capacitor-less Memory-cell on Strained Si on Relaxed SiGe Layer-on-insulator
Seung-Hyun Song, Du-Yeong Lee, Sung-Gwang Kim, Tae-Hyun Kim, Okuyama Ryosuke, Tae-Hun Shim, Jae-Gun Park
한국재료학회 2011년 가을 학술대회 |
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Sequencial deposition of DCS and SiH4-based embedded-SiGe to overcome microloading effect
이용주, 최정동, 김명선
한국공업화학회 2008년 가을 학술대회 |
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Dependency of conductivity on Ge concentration in SiGe grown on Silicon-on-insulator
Won-Kyung Park, Min-Hee Yun, Tae-Hyun Kim, Gon-Sub Lee, Jea-Gun Park
한국재료학회 2006년 봄 학술대회 |
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수소이온주입 도즈량 및 어닐링 조건에 따른 dislocation 밀도 변화에 대한 고찰|Effect of Hydrogen Implantation Dose and Annealing Condition on Dislocation Density
나정수, 석동방, 김재한, 이곤섭, 박재근
한국재료학회 2005년 봄 학술대회 |
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산화막 형성과 열처리를 이용한 Si0.77 Ge0.23 박막의 격자 이완|Strain Relaxation of Si0.77 Ge 0.23on Si(100) by Oxide Capping and Thermal Annealing
김현우, 홍석원, 배덕규, 송석찬, 최석, 정승훈, 윤의준
한국재료학회 2004년 봄 학술대회 |
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Strained Si를 만들기 위한 SiGe layer 형성에 temperature, GeH4 gas pre-flow, gas ratio가 미치는 영향|Effect of temperature, GeH4 gas pre-flow, gas ratio on formation of SiGe layer for strained Si
안상준, 이곤섭, 박재근
한국재료학회 2003년 가을 학술대회 |
