| 번호 | 제목 |
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Method of the high efficiency of reflection GaN layer for the lighting emitting diode structure including GaN/AlGaN films for the distributed bragg reflector. 안민주, 김대식, 정우섭, 조승희, 김철, 고현아, 이두원, 변동진 한국재료학회 2017년 가을 학술대회 |
| 3 |
Low temperature photoluminescence of MOCVD grown InSb epilayers 윤의준, 박용조, 오은순, 송진동, 최원준, 김상혁, 박환열, 박세훈 한국재료학회 2015년 가을 학술대회 |
| 2 |
유기금속화학기상증착법을 이용한 자기조립 InGaN/GaN 양자점 구조의 성장 거동 및 특성에 관한 연구 (Growth behavior and characterization of self-assembled InGaN/GaN quantum dot structure by metal-organic chemical vapor deposition) 장재민, 최승규, 정우광 한국재료학회 2007년 가을 학술대회 |
| 1 |
MHVPE법을 이용한 GaN성장에서의 전처리 공정에 관한 연구|Stueies on the pre-treatment of GaN Growth by MHVPE(Modifided Hydride Vapor Phase Epitaxy) 한승훈,박진호|Seunghun Han,Chinho Park 한국화학공학회 2002년 가을 학술대회 |
