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Electrical and interfacial properties of dipole in High-k/SiO2 structure according to SiO2 buffer layer
김륜나, 김원진, 나호윤, 임현민, 서동혁, 김우병
한국재료학회 2021년 가을 학술대회 |
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Comparative Study on the Electrical Characteristics between Gate-First and Gate-Last Like Processed MOS Devices
Hoon Hee Han, Donghwan Lim, Yu-Rim Jeon, Jae Ho Lee, Changhwan Choi
한국재료학회 2017년 봄 학술대회 |
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Comparison of storage characteristics between Au and Ag nano particles in NFGM
이준희, 최덕균
한국재료학회 2011년 가을 학술대회 |
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Ru/Ti bilayer metal electrode를 이용한 게이트 일함수 조절|Workfunction tunability of Ru-Ti bilayer structure for metal gate electrode
고한경, 이태호, 박인성, 김경래, 이상설, 안진호
한국재료학회 2005년 봄 학술대회 |
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후속 열처리가 ALD로 성막된 Al2O3 박막의 유전특성에 미치는 영향|Effect of Post-Treatments on Electrical/Dielectric Properties of Al2O3 Thin Films Deposited by Atomic Layer Deposition
소병수, 김성문, 황진하, 김영환, 조원태, 안기석
한국재료학회 2004년 가을 학술대회 |
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실리콘의 Orientetion이 산소 플라즈마에 의해 제조된 실리콘 산화막의 전기적 특성에 미치는 영향|Effect of Silicon Orientation on the Electrical Properties of SiO2 Using Oxygen Plasma
허정수, 전법주, 오인환*, 임태훈*, 정일현|Jung-Soo Heo, Bup-Ju Jeon, In-Hwan Oh*, Tae Hoon Lim*and Il-Hyun Jung
한국화학공학회 1996년 가을 학술대회 |
