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번호	제목
35	Hot Wall Epitaxy(HWE)법에 의해 성장된 BaIn₂S₄ 단결정 박막 의 광학적 특성 유상하, 홍광준 한국재료학회 2016년 봄 학술대회
34	Hot Wall Epitaxy(HWE)법에 의한 AgGaS₂ 단결정 박막 성장과 광발광을 이용한 이온화 에너지 연구 이기정, 홍광준 한국재료학회 2014년 가을 학술대회
33	Electrical properties for CuAlSe₂ layers grown by hot wall epitaxy method Kijung Lee, Kwangjoon hong 한국재료학회 2011년 가을 학술대회
32	Condition of optimum growth and electrical properties of ZnAl₂Se₄ Single Crystal Thin Film Kwangjoon Hong 한국재료학회 2011년 가을 학술대회
31	Optimum conditions of growth for MgGa₂Se₄ epilayers Kwangjoon Hong 한국재료학회 2011년 가을 학술대회
30	Photoluminescience properties for ZnIn₂Se₄ layers post annealed in the Zn,In,and Se ambient 이상열, 홍광준 한국재료학회 2009년 가을 학술대회
29	On study crystal field energy and spin-orbit splitting energy for ZnIn₂Se₄epilayers 유상하, 홍광준 한국재료학회 2009년 가을 학술대회
28	Point defect for CdGa₂Se₄ Single Crystal Thin Film by Hot Wall Epitaxy 홍광준 한국재료학회 2009년 봄 학술대회
27	Point defect for AgGaSe₂ single crystal thin film by hot wall epitaxy 홍광준, 김혜정 한국재료학회 2009년 봄 학술대회
26	Temperature dependence of photocurrent energy for CdGa₂Se₄epilayers 홍광준 한국재료학회 2009년 봄 학술대회