| 초록 |
Display 산업의 발전은 panel size의 증가와 함께 진보해왔으며, 발전방향성과 같이 기존 panel size보다 대면적화되는 기술 개발이 요구되고 있다. Display 공정에서 panel size 대면적화가 요구되어 짐에 따라 공정에 사용되는 장비 system size도 대형화되는 방향으로 기술이 발전해 왔다. Display 공정에서 사용되는 핵심기술로서 plasma를 이용한 기술이 있으며, 장비의 대형화에 따라서 대면적 공정에 적합한 plasma source 개발이 함께 진행되고 있다. Display 제품 제작과 수율 향상에 영향을 주는 Plasma 특성으로 high density, non-uniformity 등이 있으며, 이런 plasma 특성을 개선하기 위해 multi electrode, various frequency, pulsing 등 다양한 기술들을 적용한 대면적 plasma source 개발이 연구되고 있다. 본 연구에서는 chamber 내부에 internal linear 배치된 antenna로 U-type antenna를 이용하여 두 개의 다른 주파수를 한 antenna에 인가하는 superimposed 기술과 단일 주파수를 antenna에 인가하는 기존 기술의 plasma density, electron temperature, plasma uniformity 등의 특성을 비교해보았다. U-type antenna에 2 MHz와 13.56 MHz를 함께 인가하여 실험을 진행하였고, 공정 압력은 200 mTorr로 설정하였다. plasma density와 electron temperature 특성 분석을 위해 Ar gas를 사용하여 plasma를 방전시킨 후 Langmuir probe와 ion saturation probe를 이용하여 측정하였으며, 동일한 total power 조건에서 상대적으로 높은 plasma density를 얻을 수 있었다. 또한 대면적 plasma 장비에서 중요하게 생각되는 요소 중에 하나인 plasma non-uniformity 분석을 위하여 home-made multi-probe와 Ar/O2 gas 를 이용한 photoresist 식각 방식을 이용하여 결과의 신뢰도를 높였다. |
