| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2017년 가을 (11/15 ~ 11/17, 경주 현대호텔) |
| 권호 |
23권 2호 |
| 발표분야 |
C. 에너지 재료 분과 |
| 제목 |
Capping layer인 SiNx의 유무에 따른 수소 패시베이션 효과 |
| 초록 |
현재 실리콘을 기반으로 한 결정질 태양전지의 경우 고효율 태양전지 제작을 위한 연구가 활발히 진행되고 있다. 그 중 n-type을 기반으로 한 태양전지의 경우 p-type과는 달리 광열화 현상에 의한 효율 감소가 거의 일어나지 않는다는 점에서 고효율 태양전지 제조를 위해 새롭게 연구되고 있다. 고효율 태양전지제작을 위해서는 무엇보다도 표면의 패시베이션 및 웨이퍼 내 결함에 의한 재결합을 최소화 하여야한다. 본 연구에서는 n-type 결정질 실리콘을 사용하여 Al2O와 SiNx를 적층으로 증착하였을 때 열처리 순서에 따라 SiNx에 존재하는 Hydrogen의 passivation 효과에 대해 특성을 비교하였다. 더불어 hydrogen의 거동을 분석하기 위해 FT-IR, APT, C-V 분석을 통해 표면의 결함 밀도 및 수소의 정량적인 양을 비교하였다. |
| 저자 |
현지연, 배수현, 양지웅, 박세진, 강윤묵, 이해석, 김동환
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| 소속 |
고려대 |
| 키워드 |
<P> Passivation; Hydrogenation; Annealing; Al2O3(알루미늄옥사이드); SiNx(실리콘나이트라이드); Capping layer; Silicon Solar Cells </P>
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