| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2004년 봄 (04/23 ~ 04/24, 공주대학교) |
| 권호 | 10권 1호, p.904 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | Electrochemical investigation of H2O2 based slurry for Cu CMP |
| 초록 | Metal CMP는 산화제에 의한 metal 표면의 산화와 이 산화막의 연마로 나눌 수 있는데, 전체적인 metal 제거 속도는 산화막 형성 속도에 크게 좌우된다. 특히 구리 CMP에서는 산화제로 과수를 많이 사용하는데, 본 연구에서는 polarization method,open circuit potential 및 coulmetric reduction method 등의 전기화학적 분석 방법을 사용하여, 구리 산화막 형성 속도 및 두께를 관찰해 보았으며, 그 결과 과수의 농도가 2 wt% 일 때와 과수의 pH가 약산 ~ 중성 영역에서 구리의 산화막 형성 속도가 가장 높았다. 또한 아미노산 계열의 첨가제를 사용하여, 구리 산화막 형성 과정을 개선시키는 연구를 수행하였다. |
| 저자 | 강민철, 이종원, 김재정 |
| 소속 | 서울대 |
| 키워드 | CMP; Cu; Cu oxide; Hydrogen peroxide |
| 원문파일 | 초록 보기 |
