학회 | 한국화학공학회 |
학술대회 | 2000년 봄 (04/21 ~ 04/22, 한양대학교) |
권호 | 6권 1호, p.1833 |
발표분야 | 재료 |
제목 | 강유전체 메모리 소자를 위한 Ir 박막의 고밀도 플라즈마 식각 |
초록 | 최근 복잡한 구조와 어려운 집적공정이 요구되는 기존의 DRAM 소자와 SRAM 등의 비휘발성 메모리소자를 대체할 목적으로, 강유전체 물질을 이용한 ferroelectric random access memory 소자에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 메모리 소자는 트랜지스터와 커패시터의 조합으로 구성되며 커패시터는 유전체와 전극으로 형성된다. 이때 사용되는 전극은 주로 Pt, Ru, Ir, Pd 등과 이들의 산화물 전극이 사용된다. 본 연구에서는 전극물질인 Ir 박막을 high density plasma를 이용하는 inductively coupled plasma RIE(ICP RIE)를 사용하여 여러 가지 가스조건들에 따라 건식식각하고 그에 따른 영향을 조사하여 최적의 식각가스와 식각조건을 찾고자 하였다. |
저자 | 임동규, 정지원 |
소속 | 삼성종합기술원 반도체소자 연구실 |
키워드 | Ir; 건식식각; ICP; RIE |
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원문파일 | 초록 보기 |