| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2005년 봄 (05/26 ~ 05/27, 무주리조트) |
| 권호 | 11권 1호 |
| 발표분야 | 전자재료 |
| 제목 | 플라즈마 처리에 의한 임베디드 케패시터용 유전 박막의 유전 특성 영향 |
| 초록 | IC package의 고주파화에 따라서 low inductance power plane의 요구가 증가하고 있고, SMD 면적의 대부분을 차지하고 있는 것이 chip capacitor 이기 때문에 package의 소형화와 우수한 고주파 특성 구현을 위하여 embedded thin film capacitor의 요구가 필연적이다. 본 연구에서는 기판 재료의 제약 없는 플라즈마 저온 공정을 통하여 package용 embedded dielectric thin film의 유전율 향상에 대한 고찰을 하였다. Sol-gel법을 이용하여 고온 열처리 없이 비정질의 유전막을 형성시키고, 저온에서 유전율을 향상시켰다. XRD, FE-SEM, Impedance analyzer 등을 이용하여 유전박막의 표면 및 단면 형상, 유전막 두께, 유전율 그리고 유전 손실 등의 특성을 분석하였다. |
| 저자 | 송원훈, 임성택, 강형동, 정율교 |
| 소속 | 삼성전기 중앙(연) |
| 키워드 | 플라즈마; 유전 박막; 유전율 |
