| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2017년 봄 (04/26 ~ 04/28, ICC 제주) |
| 권호 | 23권 1호, p.1223 |
| 발표분야 | 촉매 및 반응공학 |
| 제목 | ICP 식각법에 의해 손상된 GaN의 화학적 용액 처리법을 이용한 복구 실험 |
| 초록 | 건식 식각 공정은 GaN와 같은 III-V족 반도체 화합물을 에칭할 때 주로 사용된다. 사파이어 기판에 증착된 GaN을 에칭하는 작업은 LED나 레이저와 같은 장치를 만들 때 많이 사용된다. LED 공정 중 Mesa를 만들기 위해 GaN 표면을 유도 결합 플라즈마(ICP) 식각법으로 에칭하는 과정에서 플라즈마에 의한 손상이 일어나는데, 이러한 손상은 적층 결함으로 이어져 LED의 전기적, 광학적 효율을 저하시키는 원인이 된다. 플라즈마 식각 공정에 의해 손상되는 표면을 처리하는 방법에는 플라즈마를 이용한 물리적 방법과 용액을 사용하는 화학적 방법이 있다. 본 실험에서는 산성 혹은 알칼리성 용액을 사용한 화학적 처리방법을 이용하여 Cl2/BCl3 유도 결합 플라즈마로 생기는 GaN 표면의 손상을 최대한 복구 시키는 방향으로 실험을 진행할 계획이다. 또한, 표면 처리 후 SEM과 AFM으로 표면의 상태와 거칠기를 비교 분석하고, 홀 효과 측정기로 표면 저항을 측정할 예정이다. |
| 저자 | 김보명, 이영웅, 박진호 |
| 소속 | 영남대 |
| 키워드 | 촉매 및 반응공학 |
| 원문파일 | 초록 보기 |
