| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2015년 가을 (11/25 ~ 11/27, 부산 해운대그랜드호텔) |
| 권호 |
21권 2호 |
| 발표분야 |
A. 전자/반도체 재료 |
| 제목 |
적층 순서에 따라 달라지는 Indium Gallium Zinc Oxide (IGZO) 박막트랜지스터 구조에 따른 전기적 특성 차이 |
| 초록 |
산화물 박막트랜지스터를 이용한 능동형 액화 결정 디스플레이와 유기 발광 다이오드 디스플레이가 최근 시장에서 많은 발전을 요구함에 있어 산화물 박막트랜지스터에 관한 연구가 점차 심화되고 있다. 이러한 산화 박막트랜지스터에는 여러 구조가 존재하는데 그중에서 크게 게이트의 위치에 따른 top-gate (TG), bottom-gate (BG)가 있고 또 각각 세부적으로는 컨택트의 위치에 따라 top-contact (TC), bottom-contact (BC)가 있다. 이 논문에서는 top-gate와 top-contact 및 bottom-contact 구조를 갖는 indium gallium zinc oxide (IGZO) 박막트랜지스터를 실리콘 기판 위에 여러 층을 적층하며 제작한다. 활성 영역인 IGZO와 부도체 영역인 poly methyl methacrylate (PMMA)는 스핀코팅 방식으로 300nm 적층을 하며 알루미늄 소스/드레인 전극과 금 게이트 전극은 열 증발 방식으로 증착한다. 하지만 top-gate top-contact (TGTC)와 top-gate bottom-contact (TGBC) 구조의 차이로 인해 TGTC의 경우 IZGO위에 소스/드레인을 증착하는 반면 TGBC의 경우 소스/드레인 위에 IGZO를 증착한다. 이 위로 PMMA을 적층하는데 이는 채널 페시베이션과 게이트 부도체의 역할을 한다. 이 과정 후 마지막으로 게이트를 증착한다. 이 논문에서는 이 두 구조의 공정과정의 차이로 인해 발생한 전기적 특성의 차이를 살펴볼 것이다. 또한 이렇게 제작된 소자의 측정과 분석을 통해 바이어스 스트레스의 인가에 따른 소자의 특성 변화에 대해 연구를 할 것이다. |
| 저자 |
김용상, 윤찬노, 양현규
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| 소속 |
성균관대 |
| 키워드 |
디스플레이; Oxide TFT; IGZO; PMMA; TGTC; TGBC
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| E-Mail |
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