| 초록 |
HWE 방법에 의해 MgGa2Se4 단결정 박막을 GaAs(100) 기판 위에 성장시켰다. 증발원과 기판의 온도를 각각 610 ℃, 400 ℃로 하여 성장시킨 MgGa2Se4 단결정 박막의 이중 결정 X-선 요동곡선 (DCRC)의 반폭치(FWHM)값이 212 arcsec 가장 작았다. Van der Pauw 방법으로 Hall 효과를 측정하여 운반자 농도의 ln n 대 (1/T)에서 구한 활성화에너지는 79.8 meV로 측정되었다. Hall 이동도의 온도 의존성은 10 K에서 130 K까지는 T3/2에 따라 증가하여 불순물 산란에 기인하고, 130 K에서 293 K까지는 T-3/2에 따라 감소하여 격자산란에 기인한 것으로 고찰되었다. 광전도셀의 특성으로 spectral response, 최대 허용소비전력(MAPD), 광전류와 암전류(pc/dc)의 비 및 응답시간을 측정하였다. Se 증기분위기에서 열처리한 광전도셀의 경우, 감도(γ)는 0.98, pc/dc은 1.42×107, 그리고 최대 허용소비전력(MAPD)은 331 mW, 오름시간(rise time)은 10 ms, 내림시간(decay time)은 9.6 ms로 가장 좋은 광전도 특성을 얻었다. |
