| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2018년 봄 (04/25 ~ 04/27, 창원컨벤션센터) |
| 권호 | 24권 1호, p.756 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | 금속 보조 식각법의 조건에 따른 p-GaN 표면과 은 나노 결정에 대한 연구 |
| 초록 | 금속 보조 식각법(Metal-assisted chemical etching, MaCE)은 실리콘(Si) 및 질화갈륨(GaN)과 같은 반도체 물질을 금속 이온과 산 용액을 통해 간단하게 에칭(etching)할 수 있는 장점을 가지고 있다. MaCE와 관련된 기존의 연구에서는 발광 다이오드(Light emitting diode, LED)의 표면을 에칭한 후, 생성된 은 나노 결정(Silver nano-particles, Ag NPs)을 제거하여 에칭된 형태만을 이용해 광 추출 효율을 높이는 방법을 택하였으나, 본 연구에서는 불산(HF)과 질산은(AgNO3)을 이용한 MaCE를 통해 p-GaN 표면의 상태와 MaCE에 의해 생성되는 은 나노 결정의 크기 변화를 비교 분석할 계획이며, 최종적으로는 MaCE 후에 잔존해 있는 은 나노 결정이 발광 다이오드의 광 추출 효율에 주는 영향을 살펴볼 계획이다. |
| 저자 | 김보명, 이영웅, 박진호 |
| 소속 | 영남대 |
| 키워드 | 화공소재 전반 |
| 원문파일 | 초록 보기 |
