| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2013년 봄 (05/23 ~ 05/24, 여수 엠블호텔(THE MVL)) |
| 권호 | 19권 1호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료(Electronic and Semiconductor Materials) |
| 제목 | Intrinsic Silicon of Thin-film Silicon Solar Cell Deposited by Atmospheric-pressure Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition |
| 초록 | 미세결정질 실리콘(Si) 박막은 비정질 실리콘과 결정질 실리콘을 포함하는 혼합된 물질이다. 미세결정질 실리콘은 비정질 실리콘에 비해 빛에 대한 높은 안전성, 높은 도핑 효율 그리고 향상된 캐리어 이동성 등의 장점이 있다. 결정질 부피(결정화도) 조절은 재료의 광학적 갭과 전도성에 큰 영향을 가지고 있기 때문에 매우 중요하다. 탠덤 박막 실리콘 태양전지는 흡수 계수가 비정질 실리콘(a-Si:H)에 비해 상대적으로 낮기 때문에 1~2 μm 두께의 미세 결정질 실리콘(μc-Si:H)이 필요하다. 본 연구에서는 대기압에 가까운 100 torr에서 AP-PECVD (atmospheric-pressure plasma-enhanced chemical vapor deposition) 시스템을 통해 μc-Si:H film을 개발하려고 시도했다. 미세결정질 실리콘 박막을 증착함에 있어서 hydrogen(H2)과 silane(SiH4) 흐름을 바꿈으로 결정화도 조절에 성공했고, 이렇게 증착된 다양한 결정화도를 갖는 실리콘 박막들의 Photo와 dark 전도도를 측정할 수 있었다. 또한, AP-PECVD로 μc-Si:H film을 증착한 박막형 실리콘 태양전지를 만들었고 그 결과 약 1.2%의 효율을 얻을 수 있었다. |
| 저자 | 이성도, 이영주, 박성규, 남기석, 정용수, 권정대 |
| 소속 | 재료(연) |
| 키워드 | Microcrystalline silicon; thin film solar cells |
