| 학회 | 한국고분자학회 |
| 학술대회 | 2010년 가을 (10/07 ~ 10/08, 대구 EXCO) |
| 권호 | 35권 2호 |
| 발표분야 | 분자전자소재 및 소자 |
| 제목 | 세로형 고분자 발광트랜지스터의 고분자/금속 계면 특성 향상에 관한 연구 |
| 초록 | 본 연구에서는 용액공정이 가능한 전도성 고분자를 통한 세로형 고분자 발광 트랜지스터를 제작하였다. 용액공정을 사용한 고분자 발광 트랜지스터 제작 시 금속과 고분자 계면의 접촉저항이 발생되는데, 금속과 고분자 간의 계면 특성을 향상시키기 위해 전하착체화합물인 DMDCNQI를 사용하여 접촉 저항을 개선시켰다. ITO/Polymer/Gate/Polymer/DMDCNQI/Source로 소자를 구성하였으며, DMDCNQI의 두께 및 Source 금속 종류의 확인을 통해 최적화된 세로형 고분자 발광 트랜지스터를 제작하였다. |
| 저자 | 민현식, 권형준, 오세용 |
| 소속 | 서강대 |
| 키워드 | 고분자 발광트랜지스터; 전하착체화합물; 접촉저항 |
