화학공학소재연구정보센터
학회 한국재료학회
학술대회 2010년 봄 (05/13 ~ 05/14, 삼척 팰리스 호텔)
권호 16권 1호
발표분야 C. Energy and the Environment(에너지 및 환경재료)
제목 임프린트 리소그래피를 통한 패턴 형성 및 알루미늄 전해에칭에 의한 고용량 커패시터의 제조
초록  HDTV, 전기 자동차와 같은 첨단 기술이 요구되는 제품들로 인하여 알루미늄 전해커패시터 또한 경박단소화가 요구되고 있으며 높은 정전용량을 형성하기 위해 알루미늄 양극박의 표면적 확대에 관한 연구가 다양하게 이루어지고 있다.  
 최근 임프린트 리소그래피 공정기술은 기존의 포토 리소그래피 공정기술의 한계를 극복하면서 저비용으로 다양한 나노 구조물 및 소자 제작이 가능한 차세대 패터닝 기술로 주목 받고 있다. 만약 알루미늄 전해커패시터의 제조를 위해 양극박의 알루미늄 상에 임프린트 리소그래피 공정기술을 이용하여 패턴 형성 후 선택적으로 알루미늄 전해에칭을 한다면 표면적의 극대화를 가져올 수 있는 이점이 있다.  
 따라서 본 연구에서는 임프린트 리소그래피 공정을 이용하여 알루미늄 상에 3.5 μm 직경의 패턴을 형성하였고, 이후 알루미늄 전해에칭을 통해 균일한 에치피트를 형성 시켰다. 공정에 사용되는 레진으로 Micro resist technology사의 Ma-N 405를 사용하였으며, 단위면적당 하중: 50 ~ 70 kgf/cm2, 온도: 70 ∼ 100℃, 지연시간: ~30 분, 노광시간: ~120 초의 여러 가지 공정변수를 조절하여 최적의 패턴을 알루미늄 상에 형성 하였다. 패턴 형상은 SEM(Scanning Electron Microscope)을 이용하여 분석되었고, 반복 공정을 통하여 그 재현성을 확인하였다. 그리고 균일한 에치피트가 형성된 알루미늄에 양극산화공정을 이용하여 700 nm 정도의 유전체 층을 형성시킨 후 정전용량을 측정하였다.
저자 김남정, 장주희, 이창형, 김택유, 서수정
소속 성균관대
키워드 임프린트 리소그래피; 알루미늄 전해커패시터; 전해에칭; 에치피트
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