| 초록 |
반도체 제조공정에서 에칭 및 세정용 가스로 사용되는 삼불화질소(NF3)는 세계적으로 발생량은 매우 적지만 CO2 대비 지구온난화지수인 GWP(global warming potential)가 17000에 달하기 때문에 규제대상의 물질이다. 또한 최근에 교토의정서 규제대상 온실가스중에는 NF3를 포함한 불화온실가스를 배출감축 최우선 후보로 지정하고 있다. NF3 가스는 고체 산 촉매상에서 물에 의한 가수분해 또는 산소에 의한 산화반응을 통해 질소산화물 및 불소화합물로 분해 될 수 있다. 본 연구에서는 NF3의 가수분해 반응을 위해 γ-Al2O3, ZrO2 등 금속산화물들을 촉매로 사용하였으며, 그 성능을 비교한 결과 γ-Al2O3가 가장 좋은 성능을 나타내었다. NF3 촉매분해반응에서 반응기로 유입되는 NF3의 농도는 5000 ppm 이었으며, 물은 syringe 펌프를 이용하여 1 ml/hr로 주입하였다. 반응은 공간속도 약 20,000 ml/g•h에서 실시하였고, 400 ℃ 에서 6시간 동안 진행되었으며, 반응 전후의 촉매의 상전이와 성분변화는 XRD와 EDX에 의하여 분석되었다. |
