| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2006년 봄 (05/19 ~ 05/20, 경상대학교 ) |
| 권호 | 12권 1호 |
| 발표분야 | 반도체재료 |
| 제목 | A study on Vertical Threading Dislocations in GaN substrate as doping elements(Si, O) |
| 초록 | LD/LED 소자로 널리 이용되고 있는 GaN는 발광효율을 높이는 방안으로 기판 내 Si 또는 O를 doping하여 n-type으로 성장시키는 연구가 활발히 진행되어 실용화 되고 있다. Doping 효과에 대한 특성 변화를 규명하기에 앞서 일반적으로 GaN의 특성은 내부의 결함과 밀접한 상관관계를 갖고 있는 것으로 잘 알려져 있다. 특히, 표면 특성을 제어하는 요소로 작용하고 있는 VTDs(Vertical Threading Dislocations)는 결함 밀도 외에 세 가지(edge, screw,mixed) 종류의 비율에 따라 민감한 영향 주는 것으로 보고되고 있어 이를 명확하게 규명하고자 plane-view TEM (Transmission Electron Microscopy)법1을 이용하여 분석을 수행하였다. 이에 본 연구에서는 미량의 Si이 doping된 GaN 기판을 [0001] 정대축으로부터 18° tilt1시킨 g=(11-20) 조건에서 분석한 결과 85% 이상의 결함 종류를 구분하는 것이 가능하고 edge 결함이 지배적으로 작용하고 있음을 확인하였다. 이를 토대로 doping 원소가 특성에 미치는 영향을 평가하고자 GaN에 Si와 O를 각각 doping하여 이를 TEM을 이용하여 분석하고자 하였다. |
| 저자 | 권소영, 김영수, 박완수, 김정돈 |
| 소속 | 삼성코닝 (연) |
| 키워드 | GaN; Si/O-doped; Transmission Electron Microscopy; Dislocations |
