| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2016년 가을 (11/16 ~ 11/18, 경주 현대호텔) |
| 권호 |
22권 2호 |
| 발표분야 |
C. 에너지 재료 분과 |
| 제목 |
투명 MoO3 반도체를 이용한 광전소자 |
| 초록 |
높은 투과율과 낮은 반사율을 갖는 n-type 산화물 반도체 MoO3와 p-type 실리콘의 금속 산화물 반도체 이종 접합을 이용하여 고감도 광검출기 (Photodetector)를 제작하였다. MoO3는 정공 수송 박막으로 빛이 p-n 접합에 도달했을 때 발생하는 광전효과에 있어 보다 더 많은 광전류가 흐를 수 있게 한다. MoO3는 빛의 자외선 영역의 대부분을 흡수하고, 가시광 및 그 이상의 파장영역에서의 빛은 대부분 투과가 된다. 본 실험에서는 이러한 특징을 갖는 MoO3를 이용하여 Al/n-MoO3/p-type Si/Al 형태의 이종 접합 광 검출기를 제작하고 전기 및 광학적 특성을 측정해보았다. 본 소자의 정류비는 약 15123%로 매우 명확한 정류 특성을 보였다. 적외선 영역에서 파장 별로 602%, 380%의 좋은 광응답을 보였고 평균적으로 66.05 ms의 상승 시간과 66.15 ms의 하강 시간의 빠른 광응답 속도를 보였다. 이러한 결과는 고성능 광검출기 제작에 있어 상당한 이점이 될 것이다. |
| 저자 |
박왕희1, 김홍식2, Malkeshkumar Patel1, Dipal B. Patel2, Khushbu R. Chauhan1, 김준동2
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| 소속 |
1인천대, 2Photoelectric and Energy Device Application Lab (PEDAL) |
| 키워드 |
MoO3; IR; Photodetector; Heterojunction
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| E-Mail |
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