| 초록 |
Silicon Carbide는 우수한 기계적 강도와 화학적 안정성, wide bandgap등 많은 우수한 특성으로 인하여 기존의 실리콘을 대체할 수 있는 물질 중 하나로 평가되어왔다. 일반적으로 PECVD를 이용하여 증착한 SiC막은 기존 CVD보다 저온에서 증착이 가능하며 증착된 막은 hydrogenated된 비정질의 막으로 증착된다. 우리는 플라즈마에 의한 데미지를 줄이기 위하여 Remote PECVD를 이용하여 막을 증착하였다. 소스로는 HMDS(hexamethyldisilane)을 사용하였으며 막내 탄소의 함량을 조절하기 위하여 C2H2 가스를 희석기체로 사용하였다. 증착된 막의 두께는 ellipsometry를 사용하여 측정하였으며 막의 결합구조와 조성을 알아보기 위하여 XPS와 AES를 사용하여 측정하였으며 증착된 막의 C-V 측정을 통하여 증착막의 유전상수 값을 구하였다. 증착막의 유전상수는 플라즈마 파워가 낮아질수록 낮아지는 경향을 보였으며 높은 플라즈마 하에서 탄소의 결합의 변화에 기인하는 것으로 보인다. 더불어 증착 온도에 의한 유전 상수의 변화에 대한 연구가 진행중이다 |
