화학공학소재연구정보센터
학회 한국재료학회
학술대회 2007년 가을 (11/02 ~ 11/02, 성균관대학교)
권호 13권 2호
발표분야 반도체재료
제목 반도체 제조공정에서 wafer의 warpage가 노광공정에 미치는 영향성
초록 Silicon wafer를 이용한 반도체 제조과정 중 이루어지는 여러 막질과 형성과 열처리 과정은 wafer의 warpage를 유발하며, 이는 fabrication이후 package 단계에서 반도체 칩의 손상과 불량을 유발하는 원인이 되어 이를 개선하기 위한 많은 연구가 수행되어 왔다. 반도체 제품의 design이 점점 작아지고, wafer의 직경이 200mm에서 300mm로 증가함에 따라 공정 산포의 관리가 더욱 어려워지는 가운데, warpage와 그에 따른 문제점을 개선해야 할 필요성도 점점 커지고 있다. 본 연구에서는 반도체 제조 과정에서 각종 막질에 의한 wafer의 단계별 warpage와 노광공정(photolithography process)에 미치는 영향을 CD(critical dimension)산포와 overlay 관점에서 분석하고, 이를 개선하기 위한 실험을 실시하였다. 그 결과 wafer의 심한 warpage는 노광공정에의 CD 산포와, overlay 보정의 정확도를 악화시킴을 확인하였고, 광증폭형 PR의 PEB(post exposure bake)단계에서의 불균일 가열을 통해 개선할 수 있음을 확인하였다
저자 정명호1, 윤상호1, 김형희1, 김일환1, 김종혁1, 김상진1, 전진호1, 박준수1, 이중현1, 한우성1, 문주태1, 노용한2
소속 1삼성전자 반도체 (연), 2성균관대
키워드 warpage; photolithography; CD; uniformity; overlay
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