| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2020년 가을 (11/18 ~ 11/20, 휘닉스 제주 섭지코지) |
| 권호 | 26권 1호 |
| 발표분야 | G. 나노/박막 재료 분과 |
| 제목 | Poly Si Nano-Pattern Etching Using Cl2/Ar Synchronized, Asynchronized Pulsed Inductively Coupled Plasmas |
| 초록 | 초미세 pattern으로 인해 양산 식각 공정 중 공정 uniformity를 저하하는 현상은 ARDE, Bowing 등이 있다. Conventional 한 plasma 식각 공정으로는 기술적 한계가 존재하여, ALE, dual frequency powered plasma 등 다양한 방법이 개발되고 있는 실정이다. 본 연구에서는 Cl2/Ar gas chemistry를 이용, oxide 와 nitride mask가 패터닝 되어 있는 Si Fin을 식각하여 식각 특성과 pulsed plasma 분석을 진행 하였다. CW plasma 와 Synchronized plasma와 Asynchronized plasma를 사용하여 각각의 식각 특성을 SEM을 통해 확인 하였고, voltage probe, Time resolved OES, Time averaged OES를 이용하여 플라즈마 분석을 실시하였다. CW plasma 대비 pulsed plasma 사용 시 ARDE 가 감소하여 식각 균일도를 확보할 수 있었다. Sync pulse plasma는 Async 대비 높은 ER과 vertical 한 profile을 얻을 수 있었지만 ARDE 영향이 남아 있음을 확인하였다. voltage probe를 통해 각 펄스 조건마다 instant voltage가 다르게 변화하는 것을 확인 할 수 있었고, OES 분석을 통해 pulse plasm가 CW 대비 낮은 ion 및 radical density를 보이며, 생성되는 ion 과 radical 조건이 다름을 확인함으로써 식각 균일도를 확보 할 수 있었다. |
| 저자 | 김희주, 김교운, 홍종우, 오지수, 김정완, 이채린, 염근영 |
| 소속 | 성균관대 |
| 키워드 | Pulse Plasma; Synchronized Plasma; Plasma Processing; Pulsed Inductively Coupled Plasma |
