| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2006년 가을 (10/27 ~ 10/28, 고려대학교) |
| 권호 | 12권 2호, p.2391 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | Transmission Electron Microscope Observation of a Single Ni Dot Fabricated Using Scanning Tunneling Microscope |
| 초록 | In this study, we describe the results of TEM observation of single Ni dot, 100 nm wide and 200 nm high, placed on the top of the bridge on Si-doped GaAs epitaxial layer grown by molecular beam epitaxy(MBE), using a Riber 32 apparatus. |
| 저자 | 김기범, 김희평, 정우석, 김민호, 홍철운 |
| 소속 | 전북대 |
| 키워드 | Epitaxial layer; TEM observation; Single Ni Dot Fabricated |
| 원문파일 | 초록 보기 |
