| 학회 | 한국공업화학회 |
| 학술대회 | 2019년 가을 (10/30 ~ 11/01, 제주국제컨벤션센터(ICC JEJU)) |
| 권호 | 23권 2호 |
| 발표분야 | (특별세션) 제13회 반도체공정진단 워크숍(반도체공정/소재) |
| 제목 | CVD 공정 생산성 향상을 위한 디퓨져 표면처리법 개발 |
| 초록 | CVD에 사용하는 핵심 부품인 디퓨져(diffuser)는 성막하는 기판 상부에 위치하며, 공정 가스를 정밀하게 분배하여 균일한 실리콘 막을 형성하는 역할을 한다. 디퓨져는 위치, 기능상 다른 부품보다 기판에 형성되는 박막(thin film) 성능에 큰 영향을 미치며, 특히 디퓨져의 부식 때문에 발생하는 오염입자는 TFT 소자의 불량을 야기하여, 디스플레이 패널 제작 수율에 직접적인 영향을 준다. 디퓨져의 부식을 방지하고, 성막(film growth)하는 실리콘 피막의 전기적인 특성을 저해하지 않는 새로운 표면 처리법 개발이 필요한 상황이며, 장벽형 아노다이징 방식(barrier type anodizing)을 이용하여 이 문제를 연구하였다. |
| 저자 | 이성구 |
| 소속 | (주)위지트 |
| 키워드 | CVD; diffuser; barrier type anodizing |
