| 초록 |
최근 유연하고 투명한 디스플레이에 관한 연구가 많이 수행 되고 있다. InGaZnO, InSnO, InZnO, ZnGaSnO 등 많은 비정질 투명 산화물 반도체 재료들이 TFT 채널 재료로서 연구가 많이 되고 있고 또 높은 성능을 보여주고 있다. 하지만 In, Ga이 대표적 희토류 금속으로 가격이 비싸므로 이러한 원소들이 제외된 새로운 다성분계 채널 재료에 대한 탐색이 활발히 이루어지고 있다. 대표적으로 전세계 매장량이 풍부한 ZnO, SnO2의 이성분계 산화물인 ZnSnO를 예로들 수 있다. 하지만 아직 Sn의 전기적 역할 규명이 미흡하고 기존 In, Ga이 첨가된 산화물 반도체에 비해 크게 높은 성능을 보여주지는 못하고 있다. 그러므로 아직 활발한 연구가 시작 된지 얼마 되지 않은 ZTO자체의 여러 가지 물성 평가가 많이 이루어져야 한다. 이에 본 연구에서는 ZTO film 을 졸-갤방법으로 합성시켰으며, 이 때 첨가하는 Zn : Sn의 몰비와 후열처리(post-annealing)온도가 결정학적, 광학적, 전기적 성질에 어떤 영향을 끼쳤는지 알아보고자 한다. ZTO film을 합성시키기 위해 zinc acetate (Zn(CH3COO)2)와 tin chloride (SnCl2)를 25 mL의 2-Methoxyethanol (C3H8O2)에 용해한 후 안정제로 1mL의 Ethanolamine(C2H7NO)을 첨가하고 4시간 동안 aging을 시켜 용액을 제조했다. 이 용액을 0.2 μm syringe filter 에 filtering 한 후 Si과 glass에서 4000 rpm, 30 초 동안 spincoating을 실시하여 film을 합성하였다. air 분위기에서 150 ℃에서 drying과 후열처리를 하였다. 후열처리의 온도와 조성 변화가 표면거칠기와 결정학적, 광학적, 전기적 성질에 어떤 영향이 있는지 알아보기 위해 각각 AFM, SEM, XRD,UV-V,Hall측정을 하였다. |
