| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2001년 가을 (10/19 ~ 10/20, 한밭대학교) |
| 권호 | 7권 2호, p.5175 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | Modified HVPE 법으로 성장된 GaN 에피층의 광학적 특성에 관한 연구 |
| 초록 | 본 연구에서는 기존의 HVPE법을 개선한 modifed HVPE 반응 장치를 이용하여 사파이어 기판 위에 GaN을 증착하였으며 HRXRD, LT-PL, SIMS를 통하여 성장된 GaN 박막의 특성을 분석하였다. LT-PL과 SIMS의 분석 결과로부터 증착된 GaN 박막에 Si, C, O 등이 도핑되었음을 확인하였으며 이는 반응기 벽과 반응가스간의 반응에 기인하는 것으로 추정된다. |
| 저자 | 윤덕선, 여석기, 이관석, 도창주, 박진호 |
| 소속 | 영남대 |
| 키워드 | Modified HVPE; GaN; PL; SIMS |
| 원문파일 | 초록 보기 |
