| 초록 |
광기전성 CuInSe2 (CIS)상의 생성기구를 CuSe2/In2Se3 확산쌍의 등온열처리에 의하여 규명하고자 하였다. CIS상의 형성에 있어서 In의 확산에 의해서 생성됨을 알 수 있었으며, In의 빠른 확산으로 인하여 CIS상은 Cu2Se에서도 생성되었다. 확산쌍의 분석결과 CIS상은 CuSe2/In2Se3의 Psedo-binary 면상에 존재 하지 않음을 알 수 있었고, 생성된 상들은 mass balance에 따라 Cu2Se/ CIS / β / In2Se3 의 확산경로를 보였다. 생성된 상은 Psedo-binary의 상태도와 등온상태도에 의하여 확산경로를 확인하였으며, CIS은 3.3 × 10-8 cm2/sec의 확산 성장계수에 의해서 확산성장 함을 알 수 있었고, 속도 결정 단계는 Cu 와 Se의 확산이 CIS 형성에 중요한 역할을 함을 알 수 있었다. 또한, In의 확산에 의하여 CIS상은 CuSe2 에도 생성되었으며, 상태도에 의거하여 확산경로를 하였다. 이를 근거로 하여, 생성된 CIS상의 생성기구를 고찰하였고, TEM분석을 이용하여 준안정의 calcogenide상의 형성을 규명하였다. |
