| 초록 |
플립 칩 본딩 기술은 가격 경쟁력, 경박단소의 부품 구현, 뛰어난 전기적 특성으로 인해 최근에 주목 받고 있다. 플립 칩 본딩 공정은 크게 금속 범프 형성 공정과 열 압착 공정으로 이루어진다. 플립 칩 본딩의 기계적 전기적 특성을 극대화하기 위해서는 무엇보다 대면적의 기판에서 균일한 크기의 금속 범프를 형성하는 공정이 필수적이다. 이를 위해서는 금속 범프의 리플로어가 잘 이루어지도록 유도하여야 하는데 일반적인 금속의 경우 표면 산화막의 존재로 환원분위기 하에서도 리플로어 현상이 제한된다. 본 연구에서는 유도결합 수소 플라즈마를 이용하여 환원 효과를 극대화 하였다. 유도결합 플라즈마는 무엇보다 장치가 간단하면서도 대면적 기판에 고밀도의 플라즈마를 적용할 수 있는 장점이 있다. 이를 통해 500도의 낮은 온도에서 인듐 리플로어 현상을 유도하여 균일한 반구형의 인듐 범프를 형성하였다. 먼저 SiO2/Si기판에 20 μm x 20 μm 크기로 두께 10 μm의 인듐을 진공 증착하였다. 이후 수소가 공급되는 상태에서 기판 온도를 올리고 유도결합 플라즈마를 인가하여 인듐 범프를 형성하였다. 본 발표에서는 열처리 온도 및 플라즈마 인가의 효과에 관한 결과를 논의하고자 한다. |
