| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2005년 가을 (11/10 ~ 11/11, 한양대학교) |
| 권호 |
11권 2호 |
| 발표분야 |
반도체재료 |
| 제목 |
OES를 이용한 평판형 유도결합 BCl3/SF6 플라즈마 식각 특성 연구 |
| 초록 |
현재 플라즈마는 화합물 반도체를 이용한 전자소자 및 광소자를 제작하는데 필요한 패턴 식각기술이나 박막 증착 등 산업에서 광범위하게 응용되고 있다. 이번 연구에서는 플라즈마에 직접적인 영향을 주지 않으면서 특성을 관찰할 수 있고 실시간 분석할 수 있는 광방출 분석기(Optical Emission Spectroscopy, OES)를 이용하여 평판형 유도결합 BCl3/SF6 플라즈마 식각시의 플라즈마 방전 상태를 분석하였다. 특히 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 재료인 GaAs, AlGaAs 식각 중에 BCl3, BCl3/SF6 등의 플라즈마를 분석하여 각각의 플라즈마 가스내의 잔존 성분의 광 방출 및 공정 변수에 의한 광 강도를 분석하고자 했다. 공정 변수들은 ICP source power (0-500W), RF chuck power (0-30W), 가스 혼합비(BCl3/SF6)이다. 순수한 BCl3 가스만을 이용하여 식각한 경우보다 20%의 SF6 가스를 혼합하였을 경우 식각률이 더 우수한것을 알 수 있었다. BCl3/SF6 플라즈마를 분석한 OES 자료에 의해 플라즈마의 이온 밀도는 ICP source power, 이온에너지는 RF chuck power에 영항을 미친다는 사실을 확인하였다.
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| 저자 |
박민영1, 이제원1, 장수욱1, 노호섭1, 조관식1, 박강수2, 박건수3, 윤진성3
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| 소속 |
1인제대, 2양산고등학교, 3한국과학영재학교 |
| 키워드 |
OES; Plasma; Dry Etching; PICP
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| E-Mail |
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