| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2003년 가을 (11/21 ~ 11/22, 연세대학교) |
| 권호 |
9권 2호 |
| 발표분야 |
반도체 |
| 제목 |
Silicon-on-insulator(SOI) 기판이 3C-SiC/Si 박막 내의 잔류응력에 미치는 영향 |
| 초록 |
열화학기상증착법(Thermal-CVD)을 이용하여 SOI(silicon-on-insulator)기판과 실리콘기판 상에 단결정 3C-SiC 이종박막을 동시에 성장하고, 그 특성을 비교 분석하였다. 결정성 평가로는 X-선 회절(XRD)분석과 Raman 산란 분광분석, 그리고 투과전자현미경을 이용하였고, 잔류 응력 비교 분석으로는 laser scanning 방법과 Raman 산란 분광분석의 3C-SiC LO peak의 위치변화, 그리고 X-선 회절분석의 3C-SiC(004) peak의 위치변화를 이용하였다. 그 결과 SOI 기판과 실리콘 기판 상에 고품위의 단결정 3C-SiC 박막이 성장됨을 확인하였고, SOI 기판을 사용한 경우 실리콘 기판에 비해 성장된 3C-SiC 이종박막의 잔류 응력이 실제로 감소됨을 확인하였다. |
| 저자 |
박주훈1, 이병택1, 장성주2, 송호준1, 김영만1, 문찬기3
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| 소속 |
1전남대, 2동신대, 3한국원자력안전기술원 |
| 키워드 |
3C-SiC/Si; SOI substrates; residual stress
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