| 학회 | 한국공업화학회 |
| 학술대회 | 2006년 가을 (11/10 ~ 11/11, 경희대학교(수원캠퍼스)) |
| 권호 | 10권 2호 |
| 발표분야 | 무기재료 |
| 제목 | A comparative study on deep Si etching using PFC- and UFC-containing Plasmas |
| 초록 | Deep Si 식각에 대한 연구는 바닥면 식각과 벽면 고분자 보호막의 증착이 순차적으로 반복되는 가스변전 플라즈마 식각(gas chopping plasma etching)에 집중되어 왔다. 그러나 증착단계에서 사용되는 가스는 대부분 PFC(perfluorocompound)물질로 대기중 수명이 길고, 지구온난화지수가 높아 감축이 필요한 온실가스이다. 본 연구에서는 PFC의 대체가스로 PFC보다 대기중 수명이 짧고 지구온난화지수가 훨씬 낮은 UFC(unsaturated fluorocompound)가스를 사용하여 MEMS 소자 제조를 위한 deep Si 식각을 수행하였다. 유도결합플라즈마(Inductively Coupled Plasma)를 이용하여, 식각에서는 SF6 가스를, 증착에서는 C4F6 가스를 사용하였다. 바이어스 전압, RF Power, 식각과 증착공정 회수, 식각시간과 증착시간의 비를 변화하면서 Si 식각형상의 변화를 살펴보았다. |
| 저자 | 이형무, 박창한, 김창구 |
| 소속 | 아주대 |
| 키워드 | deep Si; etching; plasma |
