| 학회 |
한국화학공학회 |
| 학술대회 |
2007년 가을 (10/26 ~ 10/27, 한국과학기술원) |
| 권호 |
13권 2호, p.2298 |
| 발표분야 |
재료 |
| 제목 |
사파이어 기판 위에 성장시킨 ZnO 나노와이어의 구조적 특성조사 |
| 초록 |
본 연구에서는 thermal evaporation 법으로 c-, r-plane 사파이어 기판 위에 ZnO 버퍼층을 올린 후, ZnO 나노와이어가 성장되었다. ZnO 나노와이어의 성장에서 사파이어 기판 위에 ZnO 박막을 impinging flow reactor system을 이용하여 낮은 온도에서 증착시킨 위에 ZnO 나노와이어가 합성되었다. Plane이 다른 두 종류의 사파이어 기판 위에 증착된 ZnO 박막을 seed로 하여 thermal evaporation 법으로 ZnO 나노와이어가 서로 다른 구조적 특성을 가지고 성장되는 것이 관찰되었다. ZnO 나노와이어를 제조하는 과정에서 기판의 종류에 따른 영향을 조사하였는데, 동일한 방법으로 박막을 제조하더라도 기판의 종류에 따라 ZnO 박막의 결정성장 특성이 달라질 수 있음이 확인되었다. 또한 나노와이어의 결정성장 특성이 기판 위에 형성된 버퍼층의 결정성장 특성에 영향을 받는다는 것이 확인되었다. 본 연구에서는 impinging flow system과 thermal evaporation 방법에 의해서 두 종류의 사파이어 기판 위에 성장된 ZnO 나노와이어의 크기, 방향성 그리고 결정성이 어떤 차이점을 지니는지 조사되었다. |
| 저자 |
박노국1, 이유진1, 한기보1, 윤석훈1, 류시옥1, 이태진1, 이원근2, 배영제2
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| 소속 |
1영남대, 2TPS Inc. |
| 키워드 |
ZnO 나노와이어; c; r-plane 사파이어; thermal evaporation process
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| E-Mail |
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| 원문파일 |
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