| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2004년 봄 (05/14 ~ 05/14, 강릉대학교) |
| 권호 | 10권 1호 |
| 발표분야 | 반도체 I (실리콘) |
| 제목 | 수열처리에 의한 Al2O3/CeO2와 Al2O3/SiO2 복합연마재 제조 및 연마 특성 |
| 초록 | CMP(chemical mechanical polishing)는 연마재 성분에 의한 화학적 에칭작용과 연마재 본래의 기계적 연마작용을 동시에 이용하여 연마를 수행하는 방법으로 ILD, STI, silicon wafer 등의 연마에 사용된다. 일반적으로 사용되는 연마용 조성물은 물과 연마재 등으로 구성되며, 연마재로는 알루미나(Al2O3), 실리카(SiO2), 세리아(CeO2), 지르코니아(ZrO2), 티타니아(TiO2) 등의 금속산화물과 Cu, W 등의 금속이 주로 사용된다. 금속산화물 중 세리아는 모오스 경도가 5정도로 실리카(7)나 알루미나(9)에 비해 작아서 표면에 scratch를 발생시킬 확률이 적고, 비중이 두세 배 높아서 연마 슬러리의 연마재 고형분 함량이 낮아도 연마량이 많다는 장점이 있으나 연마재 비용이 고가인 단점이 있다. 본 연구에서는 수열합성으로 알루미나 입자표면에 나노크기의 세리아 입자를 코팅하여 복합 슬러리를 제조하였고, CMP 슬러리로서 연마특성을 비교 검토하였다. 제조된 복합 슬러리는 zeta potential analyzer와 turbiscan으로 슬러리의 분산성과 안정성을 측정하였고, particle size analyzer, SEM, TEM, XRD, ICP 등으로 물성을 분석하였다. 또한 colloidal 실리카를 알루미나 입자표면에 코팅하여 실리콘 웨이퍼 연마용 CMP 슬러리로서 응용을 검토하였다. |
| 저자 | 최성현, 이승호 |
| 소속 | 요업기술원 전자부품소재본부 |
| 키워드 | CMP; 복합연마재; 수열처리 |
