| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2010년 봄 (05/13 ~ 05/14, 삼척 팰리스 호텔) |
| 권호 | 16권 1호 |
| 발표분야 | B. Nanomaterials Technology (나노소재기술) |
| 제목 | S-K 방식으로 성장한 InAs/GaAs 양자점의 특성 (Characteristics of InAs Quantum dots grown by S-K method) |
| 초록 | InAs를 GaAs 기판상에 성장시키기 위해 In과 As을 동시에 도포시키는 경우 일정한 두께의 InAs가 성장한 후에는 이들 사이의 격자 부정합에 의한 표면에너지의 감소를 위해 InAs가 3차원적으로 뭉치는 현상이 발생한다. 이러한 방식으로 성장된 양자점을 S-K성장방식의 양자점이라 하며 S-K 성장방식에 의한 자발형성 양자점의 균일도 향상, 고밀도 양자점 성장 그리고 규칙적으로 배열화 된 양자점의 성장에 관한 많은 연구들이 이루어지고 있다. 본 실험은 분자선 에피택시를 이용하여 GaAs(100) 기판위에 Stranski-Krastanow (S-K) 방식으로 InAs 양자점의 밀도가 높으며 높이와 폭을 균일하게 성장하는 것이 목적이다. GaAs 기판 온도와 InAs / As 반복주기를 제어하여 InAs S-K 양자점을 성장하였으며, AFM (atomic force microscopy) 분석을 이용하여 ~1㎛2당 양자점이 ~600개인 높은 밀도와, 높이는 ~5.5㎚±2㎚, 폭은 ~30㎚±4㎚ 정도인 균일한 양자점을 형성을 확인하였다. 그리고 InAs 양자점을 수직 적층하고 PL(Photo Luminescence) 특성을 분석하여, 고출력 양자점 레이저 다이오드, VCSEL(Verticel cavity surface emitting laser), QDIP(Quantum dot infrared photodetector) 등 소자구조로의 적용 가능성을 평가하였다. |
| 저자 | 박성준1, 조남기2, 임주영2, 최원준2, 신범기2, 명재민1 |
| 소속 | 1연세대, 2한국과학기술(연) |
| 키워드 | molecular beam epitaxy; InAs; quantum dots |
