| 초록 |
반도체 제조공정에서 에칭 및 세정용으로 사용되는 가스에는 CF4, CHF3, NF3, SF6 등과 같은 불화온실가스들이 있다. 이들 대기중 배출량은 CO2에 비해 적은편이지만, 지구온난화 지수(GWP)가 CO2의 수천배에 달하기 때문에 지구온난화에 미치는 영향을 무시할 수 없는 실정이다. 특히, NF3는 GWP가 17,000에 달하기 때문에 대기상으로 배출되기 전에 반드시 제거되어야 한다. 불화온실가스를 분해하기 위한 반응으로는 산소에 의한 산화반응, 물에 의한 가수분해반응이 있으며, NF3와 유사한 SF6의 분해 실험에서 산화반응보다는 가수분해반응이 더 좋은 성능을 나타내는 것으로 조사된 바 있다. 본 연구에서는 NF3를 분해하기 위해서 γ-alumina 상에서 가수분해반응을 실시하였다. NF3의 농도는 5000 ppm으로 고정하였고, 물은 Syringe펌프에 의해 반응기로 주입되었으며, 주입되는 H2O(g)/NF3 비는 20이 되게 하였다. 또한 반응온도 400 - 500 ℃, 공간속도 3000 – 15,000 ml/g-cat․h 범위에서 실험을 수행하여 최적의 조건을 찾고자 하였다. 온도가 높을수록, 공간속도가 낮을수록 더 좋은 분해성능을 나타내었으며, 반응 전후의 γ-alumina의 물성변화는 XRD, EDX, 질소흡착법에 의해 조사되었다. 또한 반응기 후단에 Gas cell을 장착하여 반응 후에 생성된 가스의 성분들을 FT-IR을 통해 분석하였으며, 그 결과 NO, NO2 의 질소산화물이 생성됨을 확인할 수 있었다. |
