| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2021년 가을 (10/27 ~ 10/29, 광주 김대중컨벤션센터) |
| 권호 | 27권 2호, p.1973 |
| 발표분야 | 이동현상 |
| 제목 | Effects of O2 addition on etching process in heptafluoropropyl methyl ether plasmas |
| 초록 | C4F8, CHF3, CF4 등 플라즈마 식각에 많이 사용되는 perfluorocompound (PFC) 계열의 물질들은 지구온난화지수 (global warming potential, GWP)가 높고 대기 중 생존기간이 길어서 지구 온난화를 초래한다. 이를 해결하기 위해 GWP가 낮은 물질로 PFC를 대체하려는 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 GWP가 낮은 물질인 fluoroether 중에서 heptafluoropropyl methyl ether (HFE-347mcc3) 플라즈마의 식각 특성과 O2 첨가의 영향에 대해 알아보았다. Bias voltage와 source power, O2의 유량 변화에 따른 SiO2의 식각속도와 식각 후 SiO2 시편 위에 형성된 정상상태 불화탄소막을 분석하였다. 분석한 결과를 통하여 HFE-347mcc3 플라즈마에서의 식각 특성을 제시하고 O2가 HFE-347mcc3를 이용한 식각 공정에 어떤 영향을 끼치는지 알아보았다. |
| 저자 | 이유종, 김창구 |
| 소속 | 아주대 |
| 키워드 | 이동현상 |
| 원문파일 | 초록 보기 |
