| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2010년 봄 (04/22 ~ 04/23, 대구 EXCO) |
| 권호 | 16권 1호, p.760 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | Angular dependence of SiO2 etch rates in C4F6/Ar/O2 and C4F6/Ar/O2/CH2F2 plasmas |
| 초록 | SiO2는 via 또는 contact hole 등 반도체소자 제조공정에서 mask, etch stop, underlayer 등으로 널리 사용된다. 이때 상대적으로 높은 선택비를 유지하면서 SiO2를 식각하여야 한다. 이러한 공정에서 가장 중요한 요소 중 하나는 SiO2의 식각 프로파일을 예측하여 이를 정밀하게 제어하는 것이다. 그러나 매우 미세한 패턴의 SiO2 식각에서 이온의 입사 각도에 따라 식각 속도가 영향을 받기 때문에 실제 플라즈마 식각공정 환경에서 정확한 식각 프로파일 예측이 어려운 것이 현실이다. 본 연구에서는 이온의 방향성을 조절할 수 있는 Faraday cage 시스템을 사용해 C4F6/Ar/O2와 C4F6/Ar/O2/CH2F2 플라즈마에서 SiO2 식각의 각도의존성을 조사하였다. 식각공정 중에 발생하는 불화탄소막(fluorocarbon film)의 발생 정도가 SiO2 식각에 어떠한 영향을 끼치는지 알아보기 위해, CH2F2 가스의 비율을 변화하여 실험을 수행하였다. 이러한 CH2F2 첨가 영향은 불화탄소막의 두께 변화와 F/C ratio 변화, 식각속도 변화를 바탕으로 설명하였다. |
| 저자 | 조성운, 김창구 |
| 소속 | 아주대 |
| 키워드 | Angular dependence; Faraday cage; SiO2 etching; plasma etching |
| 원문파일 | 초록 보기 |
