| 초록 |
산화물 반도체는 높은 이동도와 큰 밴드갭을 갖고, 전기적 특성이 뛰어나기 때문에 Si TFT(thin film transistor)를 대체할 재료로서 활발하게 연구가 진행되고 있다. 특히, 높은 캐리어 이동도와 높은 투과도를 갖는 p형 SnO 박막은 산화물 반도체 재료로서 잠재력을 갖고 있으며, 산화물 TFT의 채널 층 재료로서 주목 받고 있다. 본 연구에서는 Sn/SnO(2:8 mol%) 혼합 타겟을 이용하여 p형 SnO 박막을 반응성 RF 마그네트론 스퍼터링으로 제작하였고, Si 기판을 연마하면서 발생하는 기계적 응력이 p-channel SnO TFT의 입출력 특성에 미치는 영향을 조사하였다. SnO 박막은 RF 출력 20W, 공정 압력 5mTorr 및 기판 온도 100℃에서 산소 분압을0~12%로 조절하여 진행하였고, 증착된 SnO 박막은 Van der Pauw Hall effect measurement 분석을 통해 캐리어 농도, 이동도, 그리고 전기전도도를 측정하였다. P 형 SnO 박막을 이용하여 p-channel바텀 게이트(bottom gate) TFT 구조를 제작하였고, gate oxide로는 66 nm의 SiO2가 사용되었다. Si 기판은TargetMaster (microplolisher, Struers) 연마기를 통해 ＜ 100m, 200m, 그리고 400m두께로 연삭하였으며, Si 기판 두께는 실시간 계측 시스템을 통해 측정하였다. P-channel SnO TFT의 전기적 특성은 Semiconductor Parameters Analyzer로 측정하였고, 기판 두께와 연삭 공정이 TFT 특성에 미치는 영향을 분석하였다. |
