| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2016년 봄 (05/18 ~ 05/20, 여수 디오션리조트 ) |
| 권호 | 22권 1호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료 분과 |
| 제목 | 다층 채널 구조를 이용한 높은 전자 이동도 IZO 트랜지스터의 신뢰성 향상 |
| 초록 | 산화물 박막 트랜지스터 중 비정질 구조를 가진 산화물을 이용한 트랜지스터는 높은 전자 이동도를 가지고 있어 실리콘 반도체를 대체할 차세대 박막 트랜지스터로 각광받고 있다. 현재 가장 많이 쓰이고 있는 IGZO를 이용한 트랜지스터의 경우 높은 신뢰성을 가지고 있지만, 높은 전자 이동도를 요구하는 UHD TV등에 응용하기에는 부족한 전자 이동도를 보이고 있다. 따라서 높은 전자 이동도와 신뢰성을 모두 갖춘 산화물 채널 물질에 대한 연구와 동시에 트랜지스터의 구조적 연구가 필요하다. IZO의 경우 억셉터의 역할을 하는 Ga이 빠져 있기 때문에 IGZO보다 상대적으로 많은 캐리어 농도를 가지고 있어 높은 전자 이동도를 보장하지만, 이 때문에 낮은 광 신뢰성을 가지고 있다. 이를 해결하기 위해, 본 실험에서는 채널 내의 축적 층이 되는 front layer는 높은 캐리어 농도를 유지하면서, back layer는 광 신뢰성을 향상시킬 수 있는 다층 채널 구조를 제안 하였다. back layer층의 음이온 도핑을 통해 가전자 대역을 결함 준위 위로 상승시켜서 광 신뢰성을 확보할 수 있었다. 이를 통해 높은 전자 이동도를 유지하면서도 신뢰성이 향상됨을 확인하였다. |
| 저자 | 최신환, 김태근, 김경헌, 이병룡, 이태호, 박태훈, 손경락, 김찬영 |
| 소속 | 고려대 |
| 키워드 | <P>산화물 박막 트랜지스터; IZO; 다층구조; 광 신뢰성</P> |
