| 초록 |
액상의 Indium 프리커서 (INCA-1)와 과산화수소를 이용하여 원자층 증착법을 기반으로 indium oxide 박막을 성막하였다. 성막된 indium oxide 박막은 온도에 따라 전기적인 특성의 변화가 두드러지게 나타났다. 특히 성막 온도가 높아짐에 따라, 전기저항은 매우 크게 낮아졌으며 (~1x10E-4), 투과도는 약 85% (@550nm)이상을 보였다. 하지만 150도 이하에서부터 indium oxide는 반도체 특성을 나타내기 시작하였다. 이를 이용하여 유연한 indium oxide 박막 트랜지스터를 성공적으로 제작하였고 이동도는 10cm2/V.sec이상의 값을 보였다. 또한, Zn를 doping하여 InZnO ALD를 성공적으로 반도체 박막으로 개발하였으며, 이 경우 소자의 특성은 30cm2/V.sec이상의 우수한 특성을 나타내었다. 본 발표에서는 이러한 원자층 증착법 기반의 산화물 반도체 개발에 대하여 체계적으로 성막, 분석, 그리고 소자 제작등을 발표하려고 한다. |
