| 초록 |
반도체형 가스센서는 센서물질 표면의 산소 흡탈착 반응에 의한 저항변화를 이용하는 표면반응이기 때문에 반응기구상 높은 비표면적을 요구한다. 이 때문에 초기에 입자의 크기를 나노크기로 줄여 높은 비표면적을 확보하는 연구가 진행되었으나 나노 구조체의 크기가 수-수십nm로 작아질 경우 Van der Waals 응집이 매우 심해져 오히려 비표면적이 매우 낮은 거대한 이차입자가 형성된다. 이 경우 피검가스의 확산이 어려워져 가스 감응이 응집체의 표면에서만 일어나는 문제가 있다. 이와 같은 이유로 높은 비표면적을 확보하고 효과적인 가스감응을 위해 최근에는 나노선, 나노로드, 나노튜브와 같은 1차원 나노 구조들과 나노시트와 같은 2차원 나노 구조들이 활발히 연구되고 있다. 본 연구에서는 아미노산을 이용한 산화인듐 및 산화코발트 나노시트 구조의 합성과 가스 감응 특성에 대하여 고찰하였다. 아미노산을 이용한 수열합성 방법을 통해 2차원의 나노시트 구조를 가지는 산화인듐 및 산화코발트를 합성하였다. 합성된 두 물질은 크기, 모양 면에서 상당히 유사한 결과를 보였으며, 두 물질 모두 합성된 나노시트 구조가 응집구조에 비해 가스 감응성, 반응속도, 회복속도 면에서 우수한 특성을 나타내었다. n-type 반도체물질인 산화인듐의 경우는 반응속도가 회복속도에 비해 빠르게 나타났으며, p-type 반도체물질인 산화코발트의 경우에는 반대로 회복속도가 반응속도에 비해 빠르게 나타났다. |
