| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2010년 봄 (05/13 ~ 05/14, 삼척 팰리스 호텔) |
| 권호 | 16권 1호 |
| 발표분야 | G. Display (LCD, PDP, OLED) Materials(디스플레이 재료) |
| 제목 | 저온 공정 솔-젤 Zinc Tin Oxide TFT 를 위한 후열처리 공정 |
| 초록 | 금속 산화물 반도체는 높은 이동도 (1~100cm2/Vs), 우수한 균일성, 우수한 환경적 안정성 및 높은 투명도를 갖기 때문에, 디스플레이 분야에서 금속 산화물 반도체 기반 TFT 의 적용은 빠른 스위칭 속도, 넓은 면적, 높은 해상도, 높은 개구율 측면에서 큰 장점을 가진다. 일반적으로 금속 산화물 반도체는 고비용이 필요한 진공공정을 통해 제작되는데, 이를 대체하기 위하여 저비용, 대면적에 유리한 용액공정을 이용하는 연구가 활발히 이루어 지고 있다. 하지만 용액공정의 경우 우수한 소자 특성을 위해서는 높은 온도에서의 열처리가 필수적이어서 다양한 종류의 기판을 적용하기 힘들다는 단점을 가지고 있다. 본 연구에서는 솔-젤 공정을 이용해 합성된 안정적인 zinc tin oxide (ZTO) 용액을 스핀코팅을 통하여 박막을 형성한 후 350°C 에서 열처리하였다. 저온 열처리를 거친 TFT 의 특성을 개선시키기 위하여 ZTO 박막을 vacuum-air 분위기에서 연속적으로 추가 열처리하였다. 최종적으로 제작된 ZTO TFT 는 5 cm2/Vs 이상의 높은 전하이동도, 양의 문턱전압, 0.5V/dec. 이하의 낮은 subthreshold slope 및 107이상의 높은 on-off 전류비를 보여주었다. |
| 저자 | 서석준, 황영환, 전준혁, 배병수 |
| 소속 | KAIST |
| 키워드 | zinc tin oxide; thin film transistor; solution process; low temperature |
