| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2011년 봄 (05/26 ~ 05/27, 제주 휘닉스 아일랜드) |
| 권호 | 17권 1호 |
| 발표분야 | F. Display and optic Materials and processing(디스플레이 및 광 재료) |
| 제목 | Ni-Pt alloy 기반의 Germanide 형성과 전기적 특성에 관한 연구 |
| 초록 | Ge는 Si 보다 electron과 hole의 mobility가 빠른 것으로 알려져 있어 Si의 대체 물질로써 많은 관심을 받고 있다. 그러나 이의 Germanide는 낮은 thermal stability를 갖고 있어 이를 향상시키기 위해서 연구가 이뤄지고 있다. 본 연구에서는 기존의 Ni Germanide에 Pt의 첨가로 thermal stability를 향상시키고 agglomeration 현상을 줄여 특성을 향상시키기 위해 Ni-5%Pt alloy를 Ge기판에 증착하여 Germanide 형성을 연구하였다. Ge 기판위에 30nm 두께의 Ni-Pt의 증착을 Ni, Pt 타겟을 이용하여 Co-Sputtering을 통해 형성하였다. 증착 후 300, 400, 500, 600, 650, 700°C의 N2 분위기에서 각각 1분간 Rapid Thermal Anneal(RTA)을 이용하여 Ni Germanide를 형성하였다. Germanide의 면 저항측정을 위해 4-point probe를 사용하였고, Ni Germanide의 형성 mechanism 분석을 위하여 Transmission Electron Microscopy(TEM)을 사용하였다. 또한 X-ray Diffraction(XRD)를 사용하여 Germanide의 생성된 상을 분석하였다. 면 저항은 온도가 올라가면서 감소하여 400~600°C의 온도에서 3~4Ω/〈 정도의 가장 낮은 면 저항값을 나타내었고 더 높은 온도에서는 면 저항값이 증가하였다. TEM과 XRD분석을 통하여 NiGe상이 형성된 것을 확인하였다. 또한 Pt를 첨가하지 않은 Ni만을 증착하였을 때보다 면 저항값이 증가하는 현상이 50~100°C정도 더 높은 온도에서 나타나는 것을 확인하였다. |
| 저자 | 최화열1, 나세권1, 최주윤1, 서유진2, 이석희2, 김형섭1, 이후정1 |
| 소속 | 1성균관대, 2KAIST 전자공학과 |
| 키워드 | Germanide; Ni Germanide; NiGe; Ni-Pt |
