| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2007년 봄 (05/10 ~ 05/11, 무주리조트) |
| 권호 | 13권 1호 |
| 발표분야 | 반도체재료 |
| 제목 | 밀폐된 Chamber 에서 DHF 세정 후 IPA Vapor를 이용한 매엽식 기판 건조 |
| 초록 | 반도체 산업에서 회로의 고밀도화, 고집적화가 급속도로 진전되고 있으며 이로 인해 웨이퍼 표면의 입자, 금속, 금속 이온, 유기물 등 오염물의크기가 미세해 지고 청정도 수준은 엄격해 지고 있으며, 이로 인해 세정에 대한 요구도 더욱 엄격해지고 있다 [1]. 세정 공정은 각 제조 공정마다 세정이 반복되어 반도체 전체 공정 수 중 약 30%를 차지 있다. 반도체 세정 공정에서 건식 세정이 향상되긴 하였으나 실용화에서는 반응 부 생성물 및 비용 면에서 세정을 대체하기에는 어려움이 있다. 매엽식 습식 세정 공정에서의 건조는 스핀 건조가 널리 사용되었지만 고속회전에 따른 웨이퍼의 대전에 의한 Particle 흡착 및 회전 부분의 발진, Trench 파손 (Pattern Broken)등의 문제를 안고 있다. 특히 DHF 세정 후 소수 성 웨이퍼 표면에서의 오염 은 스핀 건조에서 해결하기 힘든 문제로 대두 되었다. 본 연구는 웨이퍼의 세정 공정에 사용되는 DHF Final Clean Process후 효율적인 건조를 위해 IPA Vapor 를 이용한 건조 방법을 기술 하였다. Single wafer spin process를 이용하였으며, 웨이퍼 Process 공간을 밀폐 후 N2가스를 충진 함으로써 하여 대기중의 산소 오염원 유입을 차단하고 수세 및 건조 가스를 이용하여 건조시킴으로써 SiFx의 SiOx 로의 치환을 방지 함으로써 건조 효율 향상을 목적으로 한다. 웨이퍼 크기는 300mm 를 사용하였으며, Bare 웨이퍼에서 65nm 이상 오염 발생 증가량을 계측 하였다. 모든 측정은 SP-1(KLA-Tancor)을 사용 하였으며, 고배율 광학 현미경 (LEXT ; Olympus)를 이용하여 웨이퍼 표면 손상을 확인 하였다. 평가 결과는 웨이퍼 건조 효율 향상을 위한 공정 변수의 최적화에 중점을 두었으며, 각 공정 변수에 따른 웨이퍼 오염 발생량을 산출 하였다. References [1] Ah-Ta, et al., JETI, 51, No.13, p.13, 32, (2003) |
| 저자 | 임정수1, 구교욱2, 최승주1, 성보람찬2, 조중근1, 박진구2 |
| 소속 | 1SEMES Co., 2LTD. |
| 키워드 | IPA Vapor; Spin Dry; 매엽식 |
