| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2010년 가을 (11/11 ~ 11/12, 무주리조트) |
| 권호 | 16권 2호 |
| 발표분야 | F. Display and optic Materials and processing(디스플레이 및 광 재료) |
| 제목 | 고 굴절율 레진 기반의 마이크로-나노 구조 형성을 통한 발광다이오드의 광추출 효율 향상 |
| 초록 | 본 연구에서는 질화물계 측면형 발광다이오드의 광추출효율을 증가시키기 위해서 나노 임프린트 리소그래피를 이용하여 소자 상부의 투명전극 층 상에 광결정 패턴과 PEC 패턴을 형성하여 소자의 광추출효율 향상 효과를 비교하였다. 일반적으로 발광다이오드의 광추출효율을 향상시키기 위한 패턴형성 공정에서는 플라즈마 식각 공정이 도입되나, 이럴 경우 발광다이오드 소자의 투명전극 및 p형 질화갈륨 층의 전기적 특성이 저하되는 문제가 발생하게 된다. 본 연구에서는 이를 해결하기 위해서 MESA 식각, 전극 증착 등의 공정을 통해서 발광다이오드 소자가 완전히 제작된 후에 투명전극 층 상부에만 마이크로 및 나노 구조를 바로 형성시키는 공정을 진행하였다. 소자 상부에 나노 사이즈의 광결정 패턴과 마이크로-나노 사이즈의 PEC 패턴을 형성 후 광추출효율 향상효과를 확인하기 위해서 Electroluminescence intensity (EL)을 측정해 본 결과, 패턴이 형성되지 않은 발광다이오드 시편에 비하여 각각 17%, 20% 향상되었다. 또한 I-V characteristics를 이용한 전기적 특성평가 결과를 통해서 패터닝에 따른 전기적특성의 저하가 발생하지 않았음을 확인하였다. |
| 저자 | 조중연, 변경재, 박형원, 이성환, 이 헌 |
| 소속 | 고려대 |
| 키워드 | 발광다이오드; 광추출효율; 나노임프린트 리소그래피; 전기적특성 |
