| 초록 |
유기 반도체를 사용한 유기전자소자는 가공성 및 유연성 때문에 많은 연구가 진행되고 있다. n 형 유기 반도체 물질은 일반적으로 이동도가 낮고 공기 중에서의 안정성이 떨어지는 단점을 가지고 있다. 따라서, 양극성 트랜지스터, p-n 접합, 상보형 회로 등을 구현하기 위해서는 이동도와 공기 중에서 안정성이 뛰어난 n 형 반도체 물질의 연구가 필수적이다. 본 연구에서는, polystyrene 나노 입자의 단순분산을 이용한 나노 패턴이 적용된 게이트 구조를 갖는 n 형 세로형 유기 트랜지스터의 제작 및 소자 특성에 관한 연구를 진행하였다. 세로형 유기트랜지스터는 게이트 전극 금속의 구멍들을 통해 전류가 흐르며, 게이트의 나노 패터닝을 통해 구경을 최소화 하여 게이트 금속에 전압 인가 시 전류의 흐름을 효과적으로 차단할 수 있다. 본 연구에서 게이트 나노 패턴 구조에 따른 세로형 트랜지스터의 특성에 미치는 물리적 요인을 검토하였고 또한, 게이트 전극 아래에 절연층을 삽입하여 누설 전류 감소에 따른 트랜지스터의 특성을 최적화 하고자 한다. |
