| 학회 | 한국공업화학회 |
| 학술대회 | 2006년 가을 (11/10 ~ 11/11, 경희대학교(수원캠퍼스)) |
| 권호 | 10권 2호 |
| 발표분야 | 정보전자소재 |
| 제목 | P3HT를 p형 활성물질로 사용한 세로형 고분자 트랜지스터의 제작 및 특성 분석 |
| 초록 | 본 연구에서는 전도성 고분자 물질인 P3HT(Poly 3-hexylthiophene) 이용하여 새로운 형태의 디바이스 구조인 세로형 트랜지스터를 제작하여 전기적 특성을 조사하였다. 세로형 트랜지스터는 기존의 가로형 트랜지스터에 비하여 높은 전류와 짧은 채널 길이, 빠른 구동 속도 등의 장점이 있다. 또한 고분자 재료는 가공성이 좋고 간단한 공정으로 플렉서블한 디바이스 제작이 가능한 장점을 가지고 있다. ITO 투명 전극 위에 P3HT, 금속 게이트 전극, P3HT, 금속 전극 순서로 Spin coating과 진공증착 기법을 이용하여 제작하였다. 고분자 물질과 전극간의 에너지 준위를 고려한 드레인 전극 종류 변경, thermal 어닐링 효과 그리고 정공 주입층 사용에 따른 트랜지스터의 전류 특성과 on-off 비율을 조사하였다. |
| 저자 | 황선각1, 오세용1, 이상백2, 김영도1 |
| 소속 | 1서강대, 2제주대 |
| 키워드 | 세로형 고분자 트랜지스터; P3HT; Thermal 어닐링; 드레인 전극; 정공주입층 |
