| 학회 | 한국공업화학회 |
| 학술대회 | 2006년 봄 (05/12 ~ 05/13, 전북대학교) |
| 권호 | 10권 1호 |
| 발표분야 | 정보전자소재 |
| 제목 | C60을 n형 활성층으로 사용한 세로형 트랜지스터의 디바이스 최적화를 통한 전기적 특성에 관한 연구 |
| 초록 | 본 연구에서는 활성층 물질과 게이트 전극 간의 에너지 준위를 고려한 접지 방법, 게이트 전극 종류, 활성층 물질의 두께 조절에 따른 디바이스 최적화를 통해 n형 반도체 화합물을 사용한 세로형 트랜지스터의 전기적 특성을 향상시켰다. 세로형 박막 트랜지스터는 가로형 트랜지스터에 비하여 높은 전류와 짧은 채널 길이, 빠른 구동 속도 등의 장점이 있다. ITO 전극 위에 C60, 금속 게이트 전극, C60, 금속 전극 순서로 10-6 torr 이하에서 진공증착하였다. 이와 같이 제작한 n형 세로형 트랜지스터는 7.34mA의 높은 전류 값과 최고 56.4의 on/off 비율을 나타내었다. 또한 C60을 사용한 세로형 트랜지스터에 고분자 발광물질을 도입하여 발광 트랜지스터를 제작한 후 발광 특성을 조사하였다. |
| 저자 | 황선각, 김영도, 오세용 |
| 소속 | 서강대 |
| 키워드 | C60; 세로형 발광 트랜지스터; 디바이스 최적화; on/off 비율 |
