화학공학소재연구정보센터
학회 한국공업화학회
학술대회 2005년 봄 (05/13 ~ 05/14, 충남대학교)
권호 9권 1호
발표분야 정보,전자소재
제목 n형 유기반도체 화합물과 전도성 고분자를 사용한 세로형 발광 트랜지스터의 제작 및 발광특성
초록 본 연구에서는 PTCDI C-8, F16CuPC, NTCDA, PTCDA의 n-type 유기물질을 사용한 세로형 트랜지스터에 정공주입층과 고분자 발광물질을 적용해 발광 트랜지스터를 제작하여 유기 발광 소자로의 응용 가능성을 살펴보았다. ITO 투명전극 위에 정공 주입층인 PEDOT/PSS과, P3HT, MEH-PPV, PPPMA등의 고분자 발광물질을 스핀 캐스팅하여 적층하였다. 그 위에 n-type 유기물, Al 게이트 전극, n-type 유기물, Al 전극을 10-5 torr 이하에서 박막으로 진공 증착 하여 발광 트랜지스터를 제작하였다. 가로형 트랜지스터와는 달리, 유기물층 사이의 절연막은 이용되지 않았다. 제작된 발광트랜지스터를 통하여 전류-전압 특성 및 발광 특성을 살펴보았다.
저자 김희정, 이지영, 오세용
소속 서강대
키워드 Transistor; Organic EL
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